低温ポリシリコンレーザアニーリング（レーザ結晶化）

当社のμＳＡ法は、低温ポリシリコンレーザアニールを半導体レーザで高スループット・低コストで実現します。

半導体レーザの寿命は２年と長寿命で、年々低価格化が進み、電気光変換効率は60%にまで改善され高出力化が進んでおります。光学系も改良が進み、高いパワー密度をとることができるようになりました。

µＳＡ法は、独自の方法により半導体レーザでシリコンを効率よく加熱し、高スループット・低コストでシリコンを多結晶化（ポリシリコン化）します。

また、半導体キャリア測定解析も行います。