半導体キャリア測定解析

シリコン等半導体基板の性能評価

非破壊測定

 レーザによって光誘起された半導体基板および薄膜にマイクロ波を照射し、その透過率からキャリアライフタイムシート抵抗値を解析します。非破壊で測定でき、測定結果は2次元マップでアウトプットされるので、太陽電池用基板等の評価に最適です。

 

特徴

  • 半導体基板や薄膜の光誘起実効少数キャリアライフタイムの非破壊精密測定(10ms~0.5μs)
  • 半導体基板や薄膜のシート抵抗の非破壊測定(100k~2Ω/□)
  • 測定基板はベアでも絶縁膜で覆われていても測定可能
  • バルク(基板)でのライフタイム、表面結合速度解析も可能

 

 

半導体キャリア測定解析システム構成
半導体キャリア測定解析システム構成

4インチn型ベアシリコン基板実効ライフタイム2次元マッピング

半導体キャリア測定回析

4インチ熱酸化膜付n型シリコン基板実効ライフタイム2次元マッピング

半導体キャリア測定回析

 

より詳細な資料をご希望の方は、弊社営業部までお問い合わせください。