キロワット級ラインビームレーザ

薄ディスク型Yb:YAG結晶の励起

高出力MOPA型レーザの高出力・高光密度励起

薄膜シリコンの高スループットアニール

ラインビームレーザ

 高出力半導体レーザを独自光学設計により、お客様のご用途に合わせてビーム形状やホモジニイティーをカスタマイズすることが可能です。

 薄ディスク形状のレーザ結晶媒体への高効率カップリングできるように、縦軸は低NAで集光し、横軸は均一励起するようにホモジナズされています。

 また、レーザアニール用のキロワットクラスの大出力で任意形状のラインビームもカスタマイズします。メンテナンスは、国内で行うので短納期で安価にサポートすることが可能です。

特徴

ビームプロファイルデータ(実測)

出力2kW@ビームサイズ10mm x 0.23mm
出力2kW@ビームサイズ10mm x 0.23mm
ファースト軸方向のプロファイル       出力2kW
ファースト軸方向のプロファイル       出力2kW

ファースト軸方向のサイドローブ成分が低いので、結晶への入射効率が高く、レーザ発振器全体の光-光変換効率の向上が見込めます。

ホモジナイズオプション

レーザ活性媒体内の励起光の均一化や、広面積をムラのないアニールが可能になります

 

横軸ホモジナイズ・縦軸ガウシャンモード

(左)ラインビームイメージ  (中央)横軸プロファイル   (右)縦軸プロファイル

 

 

 

両軸ホモジナイズ

電流出力特性

波長狭帯化オプション

波長狭帯幅化前スペクトル
波長狭帯幅化前スペクトル
波長狭帯幅化後スペクトル
波長狭帯幅化後スペクトル

VBG(VHG)で半導体レーザを外部共振構造をとることで、広い発振スペクトル(左)を、狭帯化(右)することが可能です。その際の光出力は低下しません(下グラフ)。

詳細な技術資料は弊社営業部までお問い合わせください。