キロワット級ラインビームレーザ

　高出力半導体レーザを独自光学設計により、お客様のご用途に合わせてビーム形状やホモジニイティーをカスタマイズすることが可能です。

　薄ディスク形状のレーザ結晶媒体への高効率カップリングできるように、縦軸は低ＮＡで集光し、横軸は均一励起するようにホモジナズされています。

　また、レーザアニール用のキロワットクラスの大出力で任意形状のラインビームもカスタマイズします。メンテナンスは、国内で行うので短納期で安価にサポートすることが可能です。

特徴

ファースト軸方向のサイドローブ成分が低いので、結晶への入射効率が高く、レーザ発振器全体の光－光変換効率の向上が見込めます。

レーザ活性媒体内の励起光の均一化や、広面積をムラのないアニールが可能になります

横軸ホモジナイズ・縦軸ガウシャンモード

（左）ラインビームイメージ　　（中央）横軸プロファイル　　　（右）縦軸プロファイル

両軸ホモジナイズ

VBG（VHG）で半導体レーザを外部共振構造をとることで、広い発振スペクトル（左）を、狭帯化（右）することが可能です。その際の光出力は低下しません（下グラフ）。

詳細な技術資料は弊社営業部までお問い合わせください。