キロワット級ラインビームレーザ
薄ディスク型Yb:YAG結晶の励起
高出力MOPA型レーザの高出力・高光密度励起
薄膜シリコンの高スループットアニール

高出力半導体レーザを独自光学設計により、お客様のご用途に合わせてビーム形状やホモジニイティーをカスタマイズすることが可能です。
薄ディスク形状のレーザ結晶媒体への高効率カップリングできるように、縦軸は低NAで集光し、横軸は均一励起するようにホモジナズされています。
また、レーザアニール用のキロワットクラスの大出力で任意形状のラインビームもカスタマイズします。メンテナンスは、国内で行うので短納期で安価にサポートすることが可能です。
特徴
- 波長796nm, 808nm, 880nm, 915nm, 940nm, 980nmで最大12kWまで発振出力が可能
- ファースト軸はガウシャンビームで結晶への高効率カップリングが可能
- NA0.2以下で集光
- 波長ロッカー(VBG)による狭線幅化(<0.1nm)オプションあり
- ビーム形状のカスタマイズが可能⇒ライン、正方形、長方形、円形、楕円形
- ビームホモジナイズオプションあり
ビームプロファイルデータ(実測)


ファースト軸方向のサイドローブ成分が低いので、結晶への入射効率が高く、レーザ発振器全体の光-光変換効率の向上が見込めます。
ホモジナイズオプション
レーザ活性媒体内の励起光の均一化や、広面積をムラのないアニールが可能になります
横軸ホモジナイズ・縦軸ガウシャンモード

(左)ラインビームイメージ (中央)横軸プロファイル (右)縦軸プロファイル
電流出力特性

波長狭帯化オプション


VBG(VHG)で半導体レーザを外部共振構造をとることで、広い発振スペクトル(左)を、狭帯化(右)することが可能です。その際の光出力は低下しません(下グラフ)。

詳細な技術資料は弊社営業部までお問い合わせください。