低温ポリシリコンレーザアニーリング(レーザ結晶化)

µSA法で高スループット・低コストのレーザアニール(レーザ結晶化)を実現

当社のμSA法は、低温ポリシリコンレーザアニールを半導体レーザで高スループット・低コストで実現します。

 

半導体レーザの寿命は2年と長寿命で、年々低価格化が進み、電気光変換効率は60%にまで改善され高出力化が進んでおります。光学系も改良が進み、高いパワー密度をとることができるようになりました。

 

µSA法は、独自の方法により半導体レーザでシリコンを効率よく加熱し、高スループット・低コストでシリコンを多結晶化(ポリシリコン化)します。

 

また、半導体キャリア測定解析も行います。

 

 

LTPS レーザ結晶化

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