不純物活性化レーザアニーリング

深さ10 nmレベルの極浅部分を高活性化率で不純物活性化処理

従来のレーザアニール技術と比較して、弊社独自のµSA法は、基板深さ方向における熱処理効果をコントロールすることができ、10nmの極浅部に低シート抵抗の高効率結晶アニールが可能です。

 

MOS SDEの接合深さ=Xj
MOS SDEの接合深さ=Xj

特徴

  • 低不純物拡散
  • メンテナンスが容易
  • 基盤のプレヒート不要
  • 低消費電力

 

最先端の超微細MOSトランジスタの極浅接合形成から深い接合形成までの不純物活性化を高スループット低コストで実現することができます。

 

シート抵抗等の測定サービスを行なっています。

 

より詳細な資料をご希望の方、テスト加工をご希望の方は、弊社営業部までお問い合わせください。