半導体レーザの発振波長は、3nm程度の波長幅を持ちますが、VBG(VHG)で外部共振構造をとることで、0.1nm程度の波長幅に狭帯域化することが可能です。さらに、半導体レーザの中心波長は±5nm程度のバラツキがありますが、VBG(VHG)の中心波長のバラツキは±0.3nm程度と小さいく、VBG(VHG)を外部共振器のフロントミラーとすることで、任意の中心波長を強制的に発振させることが可能です。下のデータは、中心波長937nmの発振スペクトルをVBG(VHG)によって940nmに発振させた時の波長幅データです。この際の発振出力の低下はほぼありません。
アウレアワークス㈱では、加工のご提案から、部品の選定、適正価格での部品の仕入れ、光学設計、試作機の開発、量産機の設計まで一貫したサポートをさせていただきます。
VBG(VHG)で外部共振する前の半導体レーザ発振スペクトル
VBG(VHG)で外部共振した後の半導体レーザの発振スペクトル
VBGで外部共振する後も、出力はほぼ維持されます。
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